Diodes Incorporated - BSS123ATA

KEY Part #: K6412424

[13450個在庫]


    品番:
    BSS123ATA
    メーカー:
    Diodes Incorporated
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Diodes Incorporated BSS123ATA electronic components. BSS123ATA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123ATA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS123ATA 製品の属性

    品番 : BSS123ATA
    メーカー : Diodes Incorporated
    説明 : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 170mA (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 25pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 360mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR1010Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.