Vishay Siliconix - SI1011X-T1-GE3

KEY Part #: K6416314

SI1011X-T1-GE3 価格設定(USD) [12108個在庫]

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品番:
SI1011X-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 12V SC-89.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1011X-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI1011X-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 12V SC-89
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 640 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 800mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 62pF @ 6V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 190mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-89-3
パッケージ/ケース : SC-89, SOT-490