Infineon Technologies - IPC60R099C6X1SA1

KEY Part #: K6417189

IPC60R099C6X1SA1 価格設定(USD) [25623個在庫]

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  • 4,077 pcs$1.60838

品番:
IPC60R099C6X1SA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH BARE DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC60R099C6X1SA1 製品の属性

品番 : IPC60R099C6X1SA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH BARE DIE
シリーズ : *
部品ステータス : Active
FETタイプ : -
技術 : -
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : -
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -
パッケージ/ケース : -

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