Advanced Linear Devices Inc. - ALD114935PAL

KEY Part #: K6521930

ALD114935PAL 価格設定（USD） [22107個在庫]

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品番:: ALD114935PAL

メーカー:: Advanced Linear Devices Inc.

詳細な説明:: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD114935PAL electronic components. ALD114935PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD114935PAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

ALD114935PAL 製品の属性

品番 : ALD114935PAL

メーカー : Advanced Linear Devices Inc.

説明 : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

シリーズ : EPAD®

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET機能 : Depletion Mode

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 10.6V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12mA, 3mA

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 540 Ohm @ 0V

Vgs（th）（最大）@ Id : 3.45V @ 1µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2.5pF @ 5V

パワー-最大 : 500mW

動作温度 : 0°C ~ 70°C (TJ)

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : 8-DIP (0.300", 7.62mm)

サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PDIP

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