EPC - EPC2102ENGRT

KEY Part #: K6523251

EPC2102ENGRT 価格設定（USD） [19716個在庫]

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品番:: EPC2102ENGRT

メーカー:: EPC

詳細な説明:: GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in EPC EPC2102ENGRT electronic components. EPC2102ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2102ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2102ENGRT 製品の属性

品番 : EPC2102ENGRT

メーカー : EPC

説明 : GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

シリーズ : eGaN®

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 23A (Tj)

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.4 mOhm @ 20A, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 7mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 6.8nC @ 5V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 830pF @ 30V

パワー-最大 : -

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : Die

サプライヤーデバイスパッケージ : Die

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