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- 品番:
- IRF7702TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7702TRPBF electronic components. IRF7702TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7702TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7702TRPBF 製品の属性
品番 :
IRF7702TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
81nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3470pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSSOP
パッケージ/ケース :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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