Nexperia USA Inc. - PSMN1R2-25YLDX

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品番:
PSMN1R2-25YLDX
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R2-25YLDX 製品の属性

品番 : PSMN1R2-25YLDX
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4327pF @ 12V
FET機能 : Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) : 172W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

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