IRLR8103VTRPBF 価格設定（USD） [178809個在庫]
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- 品番:
- IRLR8103VTRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 91A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR8103VTRPBF electronic components. IRLR8103VTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR8103VTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR8103VTRPBF 製品の属性
品番 :
IRLR8103VTRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
91A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
27nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2672pF @ 16V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
115W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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