[1219個在庫]
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的 and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K106TU(TE85L) electronic components. SSM3K106TU(TE85L) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K106TU(TE85L), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K106TU(TE85L) 製品の属性
品番 :
SSM3K106TU(TE85L)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
シリーズ :
π-MOSVI
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
310 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
36pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
UFM
パッケージ/ケース :
3-SMD, Flat Leads
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