Infineon Technologies - IPT012N06NATMA1

KEY Part #: K6417480

IPT012N06NATMA1 価格設定(USD) [32161個在庫]

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品番:
IPT012N06NATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPT012N06NATMA1 製品の属性

品番 : IPT012N06NATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 240A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.3V @ 143µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 124nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9750pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 214W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN

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