APT60N60SCSG/TR 価格設定（USD） [6132個在庫]
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- 品番:
- APT60N60SCSG/TR
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT60N60SCSG/TR electronic components. APT60N60SCSG/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT60N60SCSG/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT60N60SCSG/TR 製品の属性
品番 :
APT60N60SCSG/TR
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 3mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7200pF @ 25V
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
431W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D3Pak
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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