Vishay Siliconix - SI4626ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6395903

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品番:
SI4626ADY-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4626ADY-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI4626ADY-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5370pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Ta), 6W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)