Vishay Siliconix - SI4626ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6395903

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品番:
SI4626ADY-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4626ADY-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI4626ADY-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5370pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Ta), 6W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)