DMTH6010SCT 価格設定（USD） [51384個在庫]
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- 品番:
- DMTH6010SCT
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH6010SCT electronic components. DMTH6010SCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6010SCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH6010SCT 製品の属性
品番 :
DMTH6010SCT
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 41V 60VTO220-3TU
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1940pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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