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ON Semiconductor - FDS8958B

KEY Part #: K6525115

FDS8958B 価格設定（USD） [305166個在庫]

  • 1 pcs$0.13123
  • 2,500 pcs$0.13058
品番:
FDS8958B
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDS8958B electronic components. FDS8958B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS8958B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS8958B 製品の属性

品番 : FDS8958B
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6.4A, 4.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 26 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 12nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 540pF @ 15V
パワー-最大 : 900mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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