Vishay Siliconix - SQJ431AEP-T1_GE3

KEY Part #: K6419542

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品番:
SQJ431AEP-T1_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CHAN 200V.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ431AEP-T1_GE3 製品の属性

品番 : SQJ431AEP-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CHAN 200V
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 305 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3700pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 68W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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