Advanced Linear Devices Inc. - ALD114913SAL

KEY Part #: K6521905

ALD114913SAL 価格設定（USD） [23380個在庫]

1 pcs$1.47194
10 pcs$1.32959
100 pcs$1.01381
500 pcs$0.78850
1,000 pcs$0.65333

品番:: ALD114913SAL

メーカー:: Advanced Linear Devices Inc.

詳細な説明:: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD114913SAL electronic components. ALD114913SAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD114913SAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

ALD114913SAL 製品の属性

品番 : ALD114913SAL

メーカー : Advanced Linear Devices Inc.

説明 : MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

シリーズ : EPAD®

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET機能 : Depletion Mode

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 10.6V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12mA, 3mA

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 500 Ohm @ 2.7V

Vgs（th）（最大）@ Id : 1.26V @ 1µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2.5pF @ 5V

パワー-最大 : 500mW

動作温度 : 0°C ~ 70°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

最新ニュース

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers

あなたも興味があるかもしれません

J111,126

NXP USA Inc.

JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.
J107

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 625MW TO92.
PF5102

ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92.
J105

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 625MW TO92.
J109

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 625MW TO92.
J112

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 625MW TO92.

English 日本語