ALD114913SAL 価格設定（USD） [23380個在庫]
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- 品番:
- ALD114913SAL
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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ALD114913SAL 製品の属性
品番 :
ALD114913SAL
メーカー :
Advanced Linear Devices Inc.
説明 :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
シリーズ :
EPAD®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET機能 :
Depletion Mode
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
10.6V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12mA, 3mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
500 Ohm @ 2.7V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.26V @ 1µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2.5pF @ 5V
パワー-最大 :
500mW
動作温度 :
0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
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