BSH111BKR 価格設定（USD） [1579220個在庫]
- 1 pcs$0.02342
- 3,000 pcs$0.02131
- 品番:
- BSH111BKR
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BSH111BKR electronic components. BSH111BKR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH111BKR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSH111BKR 製品の属性
品番 :
BSH111BKR
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 55V SOT-23
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
210mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
30pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
302mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-236AB
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- DMTH10H025LK3-13
- PSMN8R9-100BSEJ
- AO6409_DELTA
- TSM6N60CH C5G
- IXFX80N15Q
- 5LN01SP-AC
- NTMFS4C53NT3G
- FDB8160-F085
- SI1307DL-T1-E3
- AOI508
- FCI25N60N
- RJK0856DPB-00#J5
- SI8405DB-T1-E3
- SI5475DC-T1-E3
- IXTC13N50
- IPI80CN10N G
- NTB30N20T4G
- SI1410EDH-T1-E3
- SI1400DL-T1-E3
- HUFA75333P3
- 2SK2504TL
- AOTF474
- IRL3715Z
- MTD5P06VT4
- SPP08N50C3XKSA1
- SPI80N06S-08
- FQB4N20LTM
- IRF3711ZL
- IRF7523D1
- IRFP440
- IXTQ120N15P
- AUIRF1324STRL7P
- BSB015N04NX3GXUMA1
- SIDR622DP-T1-GE3
- SQJ412EP-T1_GE3
- IXTP5N60P
- IPI45N06S4L08AKSA3
- IRFZ34NSTRRPBF
- BSC067N06LS3GATMA1
- AO4423