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- 品番:
- PSMN8R9-100BSEJ
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN8R9-100BSEJ electronic components. PSMN8R9-100BSEJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R9-100BSEJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN8R9-100BSEJ 製品の属性
品番 :
PSMN8R9-100BSEJ
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
108A
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
128nC @ 10V
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
7.11nF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
296W
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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