Infineon Technologies - IRL3715Z

KEY Part #: K6412730

[13345個在庫]


    品番:
    IRL3715Z
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRL3715Z electronic components. IRL3715Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL3715Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRL3715Z 製品の属性

    品番 : IRL3715Z
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.55V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 870pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 45W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • BS108ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • AUIRLS3114Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

    • IRFR825PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • IRLR3714ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

    • IRLR4343

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • IRLR4343TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.