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- 品番:
- SI1307DL-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1307DL-T1-E3 electronic components. SI1307DL-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1307DL-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1307DL-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI1307DL-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
850mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
290mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-3
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
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