Infineon Technologies - BSB015N04NX3GXUMA1

KEY Part #: K6418382

BSB015N04NX3GXUMA1 価格設定(USD) [61160個在庫]

  • 1 pcs$0.63931

品番:
BSB015N04NX3GXUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSB015N04NX3GXUMA1 electronic components. BSB015N04NX3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB015N04NX3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB015N04NX3GXUMA1 製品の属性

品番 : BSB015N04NX3GXUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 36A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 142nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 12000pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース : 3-WDSON

あなたも興味があるかもしれません
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.