[12682個在庫]
- 品番:
- IRF7523D1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7523D1 electronic components. IRF7523D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7523D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7523D1 製品の属性
品番 :
IRF7523D1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
シリーズ :
FETKY™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
130 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
210pF @ 25V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
1.25W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Micro8™
パッケージ/ケース :
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
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