[2513個在庫]
- 品番:
- FDB8160-F085
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDB8160-F085 electronic components. FDB8160-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB8160-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDB8160-F085 製品の属性
品番 :
FDB8160-F085
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
243nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
11825pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
254W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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