メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
FETタイプ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
6A, 4.2A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
11.7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
590pF @ 15V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)