IXYS - IXFK52N60Q2

KEY Part #: K6405737

IXFK52N60Q2 価格設定(USD) [4482個在庫]

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品番:
IXFK52N60Q2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 52A TO-264.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK52N60Q2 製品の属性

品番 : IXFK52N60Q2
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 52A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 115 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 8mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 198nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 735W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-264AA (IXFK)
パッケージ/ケース : TO-264-3, TO-264AA

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