Renesas Electronics America - NP55N055SDG-E1-AY

KEY Part #: K6405678

[1581個在庫]


    品番:
    NP55N055SDG-E1-AY
    メーカー:
    Renesas Electronics America
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 55V 55A TO-252.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NP55N055SDG-E1-AY 製品の属性

    品番 : NP55N055SDG-E1-AY
    メーカー : Renesas Electronics America
    説明 : MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 55A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9.5 mOhm @ 28A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 96nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4800pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 1.2W (Ta), 77W (Tc)
    動作温度 : 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252 (MP-3ZK)
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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