[1581個在庫]
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 55A TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America NP55N055SUG-E1-AY electronic components. NP55N055SUG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP55N055SUG-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NP55N055SUG-E1-AY 製品の属性
品番 :
NP55N055SUG-E1-AY
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
55A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5250pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.2W (Ta), 77W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252 (MP-3ZK)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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