Infineon Technologies - IPG20N04S408ATMA1

KEY Part #: K6525202

IPG20N04S408ATMA1 価格設定(USD) [125262個在庫]

  • 1 pcs$0.29528
  • 5,000 pcs$0.27716

品番:
IPG20N04S408ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N04S408ATMA1 electronic components. IPG20N04S408ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N04S408ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S408ATMA1 製品の属性

品番 : IPG20N04S408ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 30µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 36nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2940pF @ 25V
パワー-最大 : 65W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8-4

あなたも興味があるかもしれません
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.