DF11MR12W1M1B11BPSA1 価格設定（USD） [695個在庫]
- 1 pcs$66.80379
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET MOD 1200V 50A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1 electronic components. DF11MR12W1M1B11BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF11MR12W1M1B11BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF11MR12W1M1B11BPSA1 製品の属性
品番 :
DF11MR12W1M1B11BPSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET MOD 1200V 50A
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tj)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
22.5 mOhm @ 50A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.55V @ 20mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
124nC @ 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3680pF @ 800V
パワー-最大 :
20mW
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
AG-EASY1BM-2
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