[856個在庫]
- 品番:
- TK60D08J1(Q)
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 60A TO220W.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q) electronic components. TK60D08J1(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK60D08J1(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK60D08J1(Q) 製品の属性
品番 :
TK60D08J1(Q)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5450pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
140W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220(W)
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AON6562
- IPD60R650CEATMA1
- HUFA76645S3ST-F085
- RJK5026DPP-E0#T2
- RJK2009DPM-00#T0
- IPA50R380CE
- BUZ73A H3046
- RJK6025DPD-00#J2
- IRLHM630TR2PBF
- SI4418DY-T1-GE3
- SI1403CDL-T1-GE3
- BSC200P03LSGAUMA1
- NDS8410A
- IRF6710S2TR1PBF
- IRFR5505CTRLPBF
- IRF1405ZSPBF
- IPB09N03LA G
- HUF75939P3
- RFP50N05L
- STW26NM50
- FQPF9N30
- FQI5N40TU
- ZVN4306AVSTOA
- NTB75N03L09T4G
- IRFU3911PBF
- IRF6691TR1
- NTP60N06L
- NP83P06PDG-E1-AY
- IRL1404ZL
- IRF7807VD1TR
- IRFS41N15DTRR
- IRFI510G
- IRF840L
- IRF540
- IXFV20N80P
- IPB107N20N3GATMA1
- IPB47N10S33ATMA1
- STB3NK60ZT4
- IPC020N10L3X1SA1
- ES6U1T2R