[856個在庫]
- 品番:
- TK60D08J1(Q)
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 60A TO220W.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q) electronic components. TK60D08J1(Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK60D08J1(Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK60D08J1(Q) 製品の属性
品番 :
TK60D08J1(Q)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5450pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
140W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220(W)
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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