[2154個在庫]
- 品番:
- RJK2009DPM-00#T0
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0 electronic components. RJK2009DPM-00#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK2009DPM-00#T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RJK2009DPM-00#T0 製品の属性
品番 :
RJK2009DPM-00#T0
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
60W (Tc)
動作温度 :
-
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PFM
パッケージ/ケース :
TO-3PFM, SC-93-3
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