Infineon Technologies - IRFU3911PBF

KEY Part #: K6412160

[13541個在庫]


    品番:
    IRFU3911PBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRFU3911PBF electronic components. IRFU3911PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU3911PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFU3911PBF 製品の属性

    品番 : IRFU3911PBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 115 mOhm @ 8.4A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 740pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 56W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : IPAK (TO-251)
    パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    あなたも興味があるかもしれません
    • 2N7000,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

    • IRFR3412PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRFR15N20DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.

    • IRFR3505PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3411PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.

    • IRLR3915PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.