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- 品番:
- IRLHM630TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLHM630TR2PBF electronic components. IRLHM630TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHM630TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLHM630TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRLHM630TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
62nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3170pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.7W (Ta), 37W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PQFN (3x3)
パッケージ/ケース :
8-VQFN Exposed Pad
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