[13436個在庫]
- 品番:
- IRF6691TR1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6691TR1 electronic components. IRF6691TR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6691TR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6691TR1 製品の属性
品番 :
IRF6691TR1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
71nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6580pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET™ MT
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric MT
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BUK9E2R3-40E,127
- IPB60R330P6ATMA1
- MCH6344-TL-W
- 2N7002 BK
- IPI80N04S2H4AKSA2
- IPU50R2K0CEBKMA1
- BSF024N03LT3GXUMA1
- FDV302P-NB8V001
- IXFL44N60
- NVTS4409NT1G
- FDD8445-F085
- NTMFS5834NLT1G
- BUK9E04-40A,127
- FQD16N25CTM_F080
- NTMFS4121NT3G
- IPP120N06NGAKSA1
- FQP90N10V2
- E3M0065090D
- FQD10N20TM
- FQI17N08LTU
- NTP13N10G
- NTD14N03R-001
- MGSF1P02LT1
- SPB100N03S2-03
- IRFR3707
- IRFBE30STRR
- PMN23UN,135
- STW17N62K3
- STB16NM50N
- IRFPS3815PBF
- IPB019N08N3GATMA1
- IPC30S2SN08NX2MA1
- IPI120N04S401AKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- AUIRFR2407TRL
- SIHD7N60ET4-GE3
- TK7P65W,RQ
- PSMN1R7-30YL,115
- BSL372SNH6327XTSA1
- RCD051N20TL