Infineon Technologies - SPI20N60C3XKSA1

KEY Part #: K6409472

SPI20N60C3XKSA1 価格設定(USD) [269個在庫]

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品番:
SPI20N60C3XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPI20N60C3XKSA1 製品の属性

品番 : SPI20N60C3XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2400pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 208W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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