Microsemi Corporation - APTM120A20DG

KEY Part #: K6522669

APTM120A20DG 価格設定（USD） [579個在庫]

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100 pcs$80.09022

品番:: APTM120A20DG

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTM120A20DG electronic components. APTM120A20DG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120A20DG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTM120A20DG 製品の属性

品番 : APTM120A20DG

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET機能 : Standard

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V (1.2kV)

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 50A

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 240 mOhm @ 25A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 6mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 600nC @ 10V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 15200pF @ 25V

パワー-最大 : 1250W

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : SP6

サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

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