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Microsemi Corporation - APTM120A20DG

KEY Part #: K6522669

APTM120A20DG 価格設定（USD） [579個在庫]

  • 1 pcs$80.49067
  • 100 pcs$80.09022
品番:
APTM120A20DG
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120A20DG electronic components. APTM120A20DG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120A20DG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120A20DG 製品の属性

品番 : APTM120A20DG
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 50A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 240 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 6mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 600nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 15200pF @ 25V
パワー-最大 : 1250W
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP6
サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

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