SIHB22N60E-GE3 価格設定（USD） [19855個在庫]
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- 品番:
- SIHB22N60E-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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SIHB22N60E-GE3 製品の属性
品番 :
SIHB22N60E-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
21A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1920pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
227W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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