2N7000-D26Z 価格設定（USD） [1178592個在庫]
- 1 pcs$0.03138
- 品番:
- 2N7000-D26Z
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 2N7000-D26Z electronic components. 2N7000-D26Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7000-D26Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2N7000-D26Z 製品の属性
品番 :
2N7000-D26Z
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
50pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-92-3
パッケージ/ケース :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
- SIR802DP-T1-GE3
- NVMFS5885NLT1G
- HAT2131R-EL-E
- IPU60R950C6AKMA1
- RJK5013DPE-00#J3
- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
- IPP120N06S4H1AKSA1
- FDS7760A
- 5X49_BG7002B
- NTMS4706NR2
- IXFH23N80Q
- FQP19N20CTSTU
- FDU068AN03L
- FDU8874
- FDS3570
- NDS336P
- NTMS3P03R2G
- NTD23N03R-1G
- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
- NTD60N02RT4
- IRF7807VD1
- SI4410DY
- IRFI744G
- STP12NM60N
- IPL65R070C7AUMA1
- IPP60R120P7XKSA1
- SPA21N50C3XKSA1
- R5011ANJTL
- AOV11S60
- RRH140P03GZETB
- PSMNR70-30YLHX
- IPD65R650CEAUMA1
- BUK7M8R0-40EX
- IRLHS6342TRPBF
- NX138BKR