Infineon Technologies - IRLR7833

KEY Part #: K6416776

IRLR7833 価格設定(USD) [24103個在庫]

  • 1 pcs$1.70992
  • 10 pcs$1.52703
  • 100 pcs$1.25216
  • 500 pcs$0.96195
  • 1,000 pcs$0.81128

品番:
IRLR7833
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRLR7833 electronic components. IRLR7833 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR7833, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR7833 製品の属性

品番 : IRLR7833
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 140A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 50nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4010pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 140W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.