Infineon Technologies - IPD70P04P409ATMA1

KEY Part #: K6409722

IPD70P04P409ATMA1 価格設定(USD) [179509個在庫]

  • 1 pcs$0.20605
  • 2,500 pcs$0.18906

品番:
IPD70P04P409ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET P-CH TO252-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPD70P04P409ATMA1 electronic components. IPD70P04P409ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD70P04P409ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD70P04P409ATMA1 製品の属性

品番 : IPD70P04P409ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET P-CH TO252-3
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 73A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.9 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 120µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4810pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 75W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3-313
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • FQD7P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD8647L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 14A DPAK.

  • FDD5353

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK.

  • FQD19N10LTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK.

  • FDD8778

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • PSMN2R2-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.