IXTA1N80 価格設定（USD） [46760個在庫]
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- 250 pcs$0.73586
- 品番:
- IXTA1N80
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTA1N80 electronic components. IXTA1N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA1N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA1N80 製品の属性
品番 :
IXTA1N80
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
750mA (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
220pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
40W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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