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- 品番:
- IPB096N03LGATMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB096N03LGATMA1 electronic components. IPB096N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB096N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB096N03LGATMA1 製品の属性
品番 :
IPB096N03LGATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
42W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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