[8387個在庫]
- 品番:
- IRFBF20STRR
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFBF20STRR electronic components. IRFBF20STRR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBF20STRR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBF20STRR 製品の属性
品番 :
IRFBF20STRR
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
490pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 54W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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