Infineon Technologies - IRFP064VPBF

KEY Part #: K6411916

[13626個在庫]


    品番:
    IRFP064VPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRFP064VPBF electronic components. IRFP064VPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP064VPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFP064VPBF 製品の属性

    品番 : IRFP064VPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 130A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 78A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6760pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 250W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AC
    パッケージ/ケース : TO-247-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • DMN3026LVT-7

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRFR7546TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

    • IRFR4615TRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.