SQ1912EH-T1_GE3 価格設定（USD） [610452個在庫]
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- 品番:
- SQ1912EH-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 electronic components. SQ1912EH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1912EH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ1912EH-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQ1912EH-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
800mA (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.15nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
75pF @ 10V
パワー-最大 :
1.5W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-6
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