SQ1912EH-T1_GE3 価格設定（USD） [610452個在庫]
- 1 pcs$0.06059
- 3,000 pcs$0.05168
- 品番:
- SQ1912EH-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQ1912EH-T1_GE3 electronic components. SQ1912EH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1912EH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQ1912EH-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQ1912EH-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
800mA (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
1.15nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
75pF @ 10V
パワー-最大 :
1.5W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-6
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VKM60-01P1
- GMM3X160-0055X2-SMD
- UPA2380T1P-SSA-A
- CTLDM303N-M832DS BK
- SIA907EDJ-T1-GE3
- SI5944DU-T1-GE3
- SI4214DY-T1-GE3
- SI6562DQ-T1-GE3
- 2N7002BKS/ZLX
- IRF7103Q
- AO4854L_102
- UPA2670T1R-E2-AX
- SI9936BDY-T1-E3
- MP6M12TCR
- SI6967DQ-T1-E3
- SI5915BDC-T1-E3
- SI7911DN-T1-GE3
- SI6924AEDQ-T1-GE3
- SI4913DY-T1-GE3
- FDS4895C
- DMC3035LSD-13
- IRFI4024H-117P
- APTM50AM25FTG
- APTM100DUM90G
- SI6924AEDQ-T1-E3
- SI1970DH-T1-E3
- NDS9925A
- NTQD4154ZR2
- IRF7750TR
- TPIC1502DW
- IRF9953TR
- IRF9956
- PMGD400UN,115
- SI7994DP-T1-GE3
- SQJQ910EL-T1_GE3
- SI7946ADP-T1-GE3
- IRF7910TRPBF
- BSC0923NDIATMA1
- BSC0924NDIATMA1
- IPG20N04S412ATMA1