TSM300NB06CR RLG 価格設定（USD） [378506個在庫]
- 1 pcs$0.09772
- 品番:
- TSM300NB06CR RLG
- 詳細な説明:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR RLG electronic components. TSM300NB06CR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM300NB06CR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM300NB06CR RLG 製品の属性
品番 :
TSM300NB06CR RLG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Ta), 27A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1110pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 56W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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