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ON Semiconductor - FDD86326

KEY Part #: K6409574

FDD86326 価格設定（USD） [114503個在庫]

  • 1 pcs$0.32464
  • 2,500 pcs$0.32302
品番:
FDD86326
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDD86326 electronic components. FDD86326 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD86326, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD86326 製品の属性

品番 : FDD86326
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 8A (Ta), 37A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 23 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1035pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.1W (Ta), 62W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-PAK (TO-252)
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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