CSD75207W15 価格設定（USD） [366462個在庫]
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- 品番:
- CSD75207W15
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD75207W15 electronic components. CSD75207W15 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD75207W15, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD75207W15 製品の属性
品番 :
CSD75207W15
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
-
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
162 mOhm @ 1A, 1.8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.7nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
595pF @ 10V
パワー-最大 :
700mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
9-UFBGA, DSBGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
9-DSBGA
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