ON Semiconductor - FDS6930B

KEY Part #: K6521871

FDS6930B 価格設定(USD) [315576個在庫]

  • 1 pcs$0.13085
  • 2,500 pcs$0.13020

品番:
FDS6930B
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDS6930B electronic components. FDS6930B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6930B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6930B 製品の属性

品番 : FDS6930B
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 38 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.8nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 412pF @ 15V
パワー-最大 : 900mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N5457G

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • 2N5458G

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • PN4391

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 625MW TO92.

  • 2N5461

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 40V 0.35W TO92.

  • 2N5458

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • PN4392

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 625MW TO92.