Nexperia USA Inc. - PSMN4R3-30BL,118

KEY Part #: K6416128

PSMN4R3-30BL,118 価格設定(USD) [157926個在庫]

  • 1 pcs$0.23538
  • 800 pcs$0.23421

品番:
PSMN4R3-30BL,118
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R3-30BL,118 electronic components. PSMN4R3-30BL,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R3-30BL,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R3-30BL,118 製品の属性

品番 : PSMN4R3-30BL,118
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.15V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 41.5nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2400pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 103W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • SI3139K-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-723 PACKAG.